欧冠决赛买球

上海森港电子科技有限欧冠决赛买球|首页-欢迎您
手机  |   地图  |   RSS

可控硅

  • MDD312-16N1
    MDD312-16N1

    这次从穿通(PT)型技术先进到非穿通(NPT)型技术,是最基本的,也是很重大的概念变化。这就是:穿通(PT)技术会有比力高的载流子注入系数,而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面,非穿通(NPT)技术则是基于不合错误少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率,不外其载流子注入系数却比力低。进而言之,非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替,它类似于某些人所谓的"软穿通"(SPT)或"电场截止"(FS)型技术,这使得"成本-性能"的综合效果得到进一步改善。

    是把需要数量IGBT组合到一个共同的绝缘上边,这样有利于减小绝缘和散热系统的安装和制作。一些性能更好的还把各个IGBT的共同制作在,这样驱动只需考虑,不必留意电位的配合。

  • MTC70A
    MTC70A
    一个半导体材料有可能先后掺杂施主与受主,而如何决定此外质半导体为n型或p型必需视掺杂后的半导体中,受主带来的电洞浓度较高或是施主带来的电子浓度较高,亦即何者为此外质半导体的“多数载子”(majority carrier)。和多数载子相对的是少数载子(minority carrier)。对于半导体元件的操作原理阐发而言,少数载子在半导体中的行为有着非常主要的地位。通常掺杂浓度越高,半导体的导电性就会变得越好,原因是能进入传导带的电子数量会随着掺杂浓度提高而增加。掺杂浓度非常高的半导体会因为导电性接近金属而被广泛应用在今日的集成电路制程来取代部份金属。


  • n5177fc
    n5177fc
           当晶闸管承受正朝阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1-1)中,Ig=0,(a1+a2)很,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸管处于正向阻断状况。当晶闸管在正朝阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高其电流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1-1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和决定。晶闸管已处于正向导通状况。

    式(1-1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持本来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。

    在晶闸管导通后,假如不竭的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a2迅速下降,当1-(a1+a2)≈1时,晶闸管恢复阻断状况。

  • R1271NC12C
    R1271NC12C
            导通后,元件中流过较大的电流,其值主要由限流电阻(使用时由负载)决定。在减小阳极电源电压或增加负载电阻时,阳极电流随之减,当阳极电流小于维持电流IH时,晶闸管便从导通状况转化为阻断状况。由图可看出,当晶闸管控制极流过正向电流Ig时,晶闸管的正向转折电压降低, Ig越大,转折电压越,当Ig足够大时,晶闸管正向转折电压很,一加上正朝阳极电压,晶闸管就导通。实际规定,当晶闸管元件阳极与阴极之间加上6V直流电压时,能使元件导通的控制极最小电流(电压)称为触发电流(电压)。

    在晶闸管阳极与阴极间加上反向电压时,最先晶闸管处于反向阻断状况,只有很小的反向漏电流流过。当反向电压增大到某一数值时,反向漏电流急剧增大,这时,所对应的电压称为反向不重复峰值电压(URSM),或称反向转折(击穿)电压(UBR)。

    可见,晶闸管的反向伏安特性与二极管反向特性类似。

  • PD110FG160
    PD110FG160
     为了准确选用晶闸管元件,必需要了解它的主要参数,一般在产物的目录上都给出了参数的平均值或极限值,产物合格证上标有元件的实测数据。 (1)断态重复峰值电压UDRM 在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下,可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压,其数值比正向转折电压小100V。 (2)反向重复峰值电压URRM 在控制极断路时,可以重复加在晶闸管元件上的反向峰值电压,此电压数值规定比反向击穿电压小100V。 通常把UDRM与UDRM中较小的一个数值标作器件型号上的额定电压。由于瞬时过电压也会使晶闸管遭到破坏,因而在选用的时候,额定电压一个应该为正常工作峰值电压的2~3倍,作为安全系数。 (3)额定通态平均电流(额定正向平均电流)IT 在环境温度不大于40oC和尺度散热即全导通的条件下,晶闸管元件可以持续通过的工频正弦半波电流(在一个周期内)的平均值,称为额定通态平均电流IT,简称额定电流。
  • IGBT模块
    • 富士IGBT
    • 英飞凌INFINEON IGBT
    • 宏微IGBT
    • 西门康SEMIKRON IGBT
    • 三菱IGBT模块
  • 可控硅
    • 西门康SEMIKRON
    • IXYS
    • 三社
    • 英飞凌INFINEON(原EUPEC)
    • IR
  • 晶闸管
    • ABB晶闸管
    • 西玛晶闸管
    • 自主品牌SEMIPOWER晶闸管
    • DYNEX 丹尼克斯晶闸管
  • 熔断器
    • 巴斯曼BUSSMANN熔断器
    • 巴斯曼BUSSMANN保险丝熔芯底座
    • 日之出HINODE熔断器
    • 西门子SIEMENS熔断器
    • 富士熔断器
    • 茗熔熔断器
    • 上陶(飞灵)熔断器
    • 法国美尔森mersen罗兰 熔断器
  • 可控硅半控半桥、全桥
    • 宏微
    • SEMIKRON
    • 三社
    • IXYS
    • INFINEON
  • IGBT驱动板
    • 英飞凌IGBT驱动器
    • CONCEPT驱动板
    • SEMIKRON驱动板
  • 肖特基、快恢复二极管及TVS
    • SEMIKRON
    • 宏微快恢复二极管模块
    • IXYS
    • ON
    • APT
    • 三社
    • INFINEON
    • 瞬态电压按捺器(TVS)
  • MOSFET
    • IR
    • IXYS
    • 富士
  • IPM模块
    • 三菱
    • 富士IPM
    • SEMIKRON SKiiP
  • 电解电容
    • 日立
    • NICHICON
    • EPCOS(原西门子)
    • CDE
    • BHC
    • RUBYCON(红宝石)
    • SAMWHA(韩国三和)
  • SUNON散热风扇
    • AC交流风扇
    • DC直流风扇
 
销售电话:
021-31007009
1513253456
1330449999
2691319466
欧冠决赛买球|首页-欢迎您 欧冠决赛买球|首页-欢迎您 欧冠决赛买球|首页-欢迎您 欧冠决赛买球|首页-欢迎您 欧冠决赛买球|首页-欢迎您 欧冠决赛买球|首页-欢迎您欧冠决赛买球|首页-欢迎您 欧冠决赛买球|首页-欢迎您 欧冠决赛买球|首页-欢迎您 欧冠决赛买球|首页-欢迎您