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肖特基、快恢复二极管及TVS

  • SKKD260-16
    SKKD260-16
    二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。按照其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅开关二极管、旋转二极管等。按照管芯布局,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片安稳地烧结在一起,形成一个“”。由于是点接触,只准许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。
  • MDD142-08
    MDD142-08
    是指二极管持久持续工作时准许通过的最大正向电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电畅通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141摆布,锗管为90摆布)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。加在二极管两端的反向电压高到必然值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50V,IN4007反向耐压为1000V。
  • MDD142-12 N1
    MDD142-12 N1
    反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越,管子的单标的目的导电性能越好。值得留意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单标的目的导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不外160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的不变性。
  • MDD 142-18 N1
    MDD 142-18 N1
    肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,操作二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不竭从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场标的目的为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
  • MDD162-16N1
    MDD162-16N1
    典型的肖特基整流管的内部电路布局是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+层,其作用是减小阴极的接触电阻。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当成立起必然宽度的后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。
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