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2MBI1400VXB-120P-54替代FF1400R12V

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2MBI1400VXB-120P-54替代FF1400R12
1400A /Attachment/20200611/78783480.PDF
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以按捺振荡电压。
此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,假如集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场所,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状况),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ摆布的电阻。
2MBI150VB-120-50
2MBI300VH-170-50
2MBI300VN-120-50
6MBI100S-120

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