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3MBI150SX-120-02

3MBI150SX-120-02

产物描述
 
产物型号 参数说明 下载
3MBI150SX-120-02
120A/200V /Attachment/20200611/71759458.pdf

在布局上是NPN行增加一个P结,即NPNP布局,在原理上是MOS鞭策的P型;

多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此可以做到很高电压(目前最大6500V),但由于载流子存在,IGBT关断是电流会拖尾,关断速度会减低;

MOS管就是的简称了;

IGBT和MOS管是全控器件,是电压型驱动,即通过控制栅极电压来开通或关断器件;可控硅是半控器件,电流型驱动,即给栅极通必然的电流,可以是可控硅开通,但是一旦开通,就不受栅极控制,将栅极的电压电流信号去除,仍然保持开通,只用流过可控硅AK的电流减,或可控硅两端加反压,才能关断;

IGBT和MOS管频率可以做到几十上百KHz,但可控硅一般在1KHz以内。

5E8B MG50Q6ES51A
5H6K MG35Q6ES50
5K2L MG25Q6ES51A
5M3C MG25Q6ES50



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