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FUJI-7MBR50VA060-50

FUJI-7MBR50VA060-50

产物描述
 
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FUJI-7MBR50VA060-50
60A/500V /Attachment/20200611/34249568.pdf

 超过热极限:半导体的本征温度极限为250℃,当结温超过本征温度,器件将丧失阻断能力,IGBT负载短路时,由于短路电流时结温升 高,一旦超过其热极限时,门级庇护也相应失效。

 电流擎住效应:正常工作电流下,IGBT由于薄层电阻Rs很,没有电流擎住现象,但在短路状况下,由于短路电流很大,当Rs上的压降 高于0.7V时,使J1正偏,产生电流擎,门级便失去电压控制。

 关断过电压:为了按捺短路电流,当故障发生时,控制电路立即撤去正门级电压,将IGBT关断,短路电流相应下降。由于短路电流大, 因此,关断中电流下降率很高,在布线电感中将感生很高的电压,尤其是在器件内封装引线电感上的这种感应电压很难按捺,它将使器件有过电流变为关断过电压而 失效。

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1M7C MG15Q6ES50
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要害字:
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